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通过采用先进的加工工艺，复杂瞬态电子器件的性能可与传统电子器件相媲美，复杂并可对传统器件功能进行补充，将应用范围扩展到可降解医疗器件、环保以及电子安全器件等前沿领域。图2尺寸、力英机械搅拌、力英离子种类和掺杂度分别对p型或n型薄膜硅溶解速率的影响为了深入理解上述实验现象，通过采用Zeta电位测试仪对Zeta电位的分析、采用扫描电化学工作站对薄膜硅表面氯离子浓度分布的分析和采用分子动力学模型对具有不同带电密度硅表面离子分布的计算发现，功函数相对较高的p型硅在缓冲溶液中（半导体-电解质接触）由于费米能级向下弯曲导致其表面于趋于带负电，这导致了大量阳离子（钠离子或钾离子）在静电力作用下被吸附的尺寸效应，从而引起双电层内阴离子（磷酸根离子和氯离子）富集的尺寸效应，而阴离子的亲核攻击又对硅的溶解具有催化作用，因此阴离子富集的尺寸效应是导致P型硅溶解尺寸效应的主要原因。

尹斓助理教授和美国尼吉亚大学（UniversityofVirginia）机械与航空航天学院BaoxingXu助理教授为共同通讯作者，国高工作更智高效清华大学材料学院博士后王柳和弗尼吉亚大学机械与航空航天学院博士生YuanGao为共同第一作者，国高工作更智高效合作者包括清华大学材料学院本科生戴凡淇、博士生孔德颖、博士生孙鹏程和电子系副教授盛兴、博士生王华春、博士生史钊等。图4 几何形状对体内信号探测薄膜硅电极寿命的影响该工作由清华大学材料学院尹斓课题组主导完成，铁枢相关研究成果以GeometricalandChemical-DependentHydrolysisMechanismsofSiliconNanomembranesforBiodegradableElectronics为题发表在ACSApplied MaterialsInterfaces上